
Banda de folha de tungstênio W
Detalhes do produto:
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Lugar de origem: | China |
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Marca: | JINXING |
Certificação: | ISO 9001 |
Número do modelo: | W1 - O tungstênio implantou Ion Parts |
Condições de Pagamento e Envio:
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Quantidade de ordem mínima: | 10 quilogramas |
Preço: | negociável |
Detalhes da embalagem: | caixas da madeira compensada |
Tempo de entrega: | 15-20 dias |
Termos de pagamento: | L/C, T/T, D/P, Western Union |
Habilidade da fonte: | 2000 quilogramas pelo mês |
Informação detalhada |
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Nome do produto: | O tungstênio implantou Ion Parts | Tipo: | W1 |
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Densidade: | 19,1 g/cc | pureza: | >99,95% |
Resistência à tração: | >MPa 175 | Alongamento: | <12> |
Padrão: | ASTM B760 | aplicação: | Modelagem por injeção |
Destacar: | O tungstênio implantou Ion Parts,99,95% Ion Parts implantado |
Descrição de produto
O tungstênio implantou Ion Parts é um processo de baixa temperatura com que os íons de um elemento são acelerados em um alvo contínuo, mudando desse modo as propriedades do exame, as químicas ou as elétricas do alvo. A implantação de íon é usada na fabricação do dispositivo de semicondutor, no tratamento de superfície do metal e na pesquisa da ciência de material. Se o íon para e permanece no alvo, o íon mudará a composição elementar do alvo (se o íon é diferente da composição do alvo). Quando os íons batem o alvo com de alta energia, a implantação de íon igualmente causará mudanças químicas e físicas.
ESPECIFICAÇÃO & COMPOSIÇÕES QUIMICAS (SUBSTANTIVOS)
Material | Tipo | Composição quimica (por peso) |
Tungstênio puro | W1 | >99.95%min. Mo |
Liga de cobre do tungstênio | WCu | Cu de 10%~50%/50%~90% W |
Liga pesada de Tungten | WNiFe | 1.5% - 10% Ni, Fe, Mo |
Liga pesada de Tungten | WNiCu | Ni de 5% - de 9.8%, Cu |
Rênio do tungstênio | WRe | 5,0% re |
Tungstênio de Moly | MoW50 | 0,0% W |
O tungstênio implantou Ion Parts é uma nova geração de alta tecnologia para o tratamento de superfície material. Usa uma série de físico e de químico
mudanças causadas pelo feixe de íon de um elemento do metal com de alta energia em materiais contínuos melhorar algumas propriedades de superfície do sólido
materiais.
Os resultados mostram que a implantação de íon do metal é mais eficaz e amplamente utilizada na pesquisa e na aplicação da superfície da implantação de íon
alteração não de materiais do semicondutor. Muito a implantação de íon do nitrogênio não pode ser realizada, e a implantação de íon do metal pode ser boa
realizou. Contudo, para o implanter tradicional do íon baseado nas necessidades de implantação de íon do semicondutor, é difícil obter a
o feixe de íon relativamente forte do metal, e o custo da alteração da superfície da implantação de íon não de materiais do semicondutor são igualmente relativamente
caro.
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